【产业资讯】6月3日半导体封装行业海内外情报汇总

发表时间:2024-06-03 16:23:08
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市场商机
拟建|广东天域半导体股份有限公司总部及生产制造中心建设项目(第二期)
标签:#半导体
该新建项目位于东莞市松山湖南园路10号,总投资323374.3万元,项目总规划用地面积63,197.68平方米,建筑面积223,810.8平方米,用于生产100万片/年的SiC外延晶片使用,产能分期建设。本期为第二期。

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行业动态
【境外消息】SCHMID集团朝着玻璃芯集成电路的先进封装迈出下一步
标签:#Semiconductor packaging
SCHMID Group N.V.将朝着玻璃芯集成电路的先进封装迈出下一步。作为TGV实验室的唯一供应商,其实验室提供裸玻璃基板转化为高级集成电路封装所需的所有工艺。SCHMID已开发出生产和金属化玻璃芯的能力,并为客户开发全格式封装基板。
SCHMID Group N.V. will take the next step towards advanced packaging of glass core integrated circuits. As the sole supplier of TGV Laboratory, its laboratory provides all the processes required for converting bare glass substrates into advanced integrated circuit packaging. SCHMID has developed the ability to produce and metalize glass cores, and has developed full format packaging substrates for customers.
【境外消息】美国政府决定根据CHIPS法向韩国SK集团旗下Absolics的玻璃基板制造工厂支付补贴
标签:#半導体パッケージ
[产业资讯]6月3日半导体封装行业海内外情报汇总-情报强企
美国政府基于CHIPS法,决定向韩国SK集团旗下化学制造商SKC的美国子公司Absolics发放最多7500万美元的补贴,用于乔治亚州科文顿的半导体封装玻璃基板技术设施。
アメリカ政府はCHIPS法に基づき、韓国SKグループの化学メーカーSKCのアメリカの子会社であるAbsolicsに対し、ジョージア州コビントンにある半導体をパッケージ化するガラス基板の技術施設に最大7500万ドルの補助金を支給することを決めました。
总投资约4.1亿,年产165万只,宇泉半导体碳化硅项目,正式揭牌投产
标签:#半导体
[产业资讯]6月3日半导体封装行业海内外情报汇总-情报强企
近日,由华安产业北京招商中心招引落地的宇泉半导体有限公司在保定高新区正式揭牌,标志着宇泉半导体在保定高新区投资的年产165万只碳化硅功率模块项目正式进入生产阶段。
工信部等三部门:加大新型存储芯片关键技术标准攻关
标签:#半导体 封装 芯片
近日,中央网信办等三部门联合发布《信息化标准建设行动计划(2024—2027年)》,旨在推进8个重点领域的标准研制。特别提到,围绕集成电路,要加强芯片关键技术标准的攻关,推进芯片应用标准研制。
Transphorm与伟诠电子联合发布新型氮化镓器件
标签:#半导体 封装
Transphorm, Inc.和伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件,与去年的旗舰产品一同构成了首个基于Transphorm SuperGaN®平台的产品系列。这一合作标志着氮化镓功率半导体在系统集成方面取得重要进展,为电子设备提供了更高效、更稳定的供电支持。
ST计划在意大利建造全球首个全集成8英寸碳化硅工厂
标签:#半导体 封装
[产业资讯]6月3日半导体封装行业海内外情报汇总-情报强企
意法半导体 (ST Microelectronics) 宣布将在意大利卡塔尼亚建造一座新的大批量200毫米碳化硅 (SiC) 制造工厂,用于功率器件和模块制造以及测试和封装。新工厂预计将于2026年开始生产,到2033年将达到满负荷生产,满负荷生产时每周可生产多达15,000片晶圆。

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前沿技术
[发明专利]一种基于DBC覆铜板的IPD器件及其制作工艺
标签:#覆铜板 #衬底
[产业资讯]6月3日半导体封装行业海内外情报汇总-情报强企
四川芯纳川科技公开了一种基于DBC覆铜板的IPD器件及其制作工艺。该器件包含衬底、通孔、键合粘结层、背层金属、最底层金属、高介电常数介质层、上层金属和钝化层。其制作工艺使器件散热良好,损耗小,制造成本低。
[发明专利]半导体封装结构及其制备方法
标签:#半导体 封装
[产业资讯]6月3日半导体封装行业海内外情报汇总-情报强企
甬矽半导体(宁波)有限公司公开了一种半导体封装结构及其制备方法,该发明具有高密度集成、互连和高可靠性特点,省去了载体晶圆和胶膜层,避免了残留胶膜对布线导电性能的影响,同时湿法制程时不会脱离,保证了制程可靠性。
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